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p형 산화물 반도체 나노섬을 코팅한 n형 산화물 반도체 나노선 가스 센서 및 그 제조 방법
| 특허명 | p형 산화물 반도체 나노섬을 코팅한 n형 산화물 반도체 나노선 가스 센서 및 그 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 11월 30일 |
| 공개일 | 2012년 6월 8일 | 공고일 | 2012년 7월 2일 |
| 요약 |
가스 선택성을 설계할 수 있으며, 환원성 가스 중에서도 특정 가스에 대해 선택성을 큰 폭으로 향상시킬 수 있는 가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 센서는 n형 산화물 반도체 나노선 또는 나노선 네트워크 위에 불연속적인 p형 산화물 반도체 나노섬(nano islands)을 형성한 가스 감응 물질을 포함하는 것이다. 본 발명에 따르면, n형 산화물 반도체 나노선과 p형 산화물 반도체 나노섬의 계면에 pn 접합이 형성되어 나노선의 저항 및 산화성 가스와 환원성 가스에 대한 상대적 가스 감도를 조절할 수 있다. 그리고, 생성된 p형 산화물 반도체의 촉매 효과에 의해 환원성 가스 중에서도 특정 가스에 대해 선택성을 큰 폭으로 향상시킬 수 있다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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