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자성 전사 장치, 자성 전사 장치의 제조 방법, 자성 전사 장치를 이용한 반도체 발광 소자 전사 방법
| 특허명 | 자성 전사 장치, 자성 전사 장치의 제조 방법, 자성 전사 장치를 이용한 반도체 발광 소자 전사 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 5월 4일 |
| 공개일 | 2019년 11월 13일 | 공고일 | 2020년 6월 26일 |
| 요약 |
본 발명의 일 실시예에 따른 자성 전사 장치는, 기판; 상기 기판의 일면에 배치되는 자성 패턴; 및 상기 기판의 타면 상에 배치된 전자석;을 포함한다. 상기 자성 패턴은, 상기 전자석과 정렬되고 상기 전자석으로부터 제공된 자기장을 투과시키는 자기장 투과 영역; 및 상기 전자석으로부터 제공된 자기장을 상기 자성 패턴의 배치 평면 방향으로 굴절시키는 자기장 차폐 영역을 포함한다.
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