특허명 | 탄소나노튜브의 절단 방법 및 그로부터 제조된탄소나노튜브 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2007년 1월 29일 |
공개일 | None | 공고일 | 2008년 6월 19일 |
요약 |
본 발명은 탄소나노튜브의 절단 방법 및 그로부터 제조된 탄소나노튜브에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 도핑 금속, 비극성 분자 및 쌍극자 용매를 포함하는 π-적층 복합체 용액 (π-stacking complex)을 제조하는 단계; 상기 π-적층 복합체 용액 중에 탄소나노튜브를 첨가하고 상온에서 교반함으로써 금속 도핑된 탄소나노튜브의 용액을 제조하는 단계; 상기 금속 도핑된 탄소나노튜브 용액을 세척 및 건조함으로써 금속 도핑된 탄소나노튜브 분말을 제조하는 단계; 및 상기 금속 도핑된 탄소나노튜브 분말에 대해서 질산 용액 처리를 수행하여 절단하고 증류수로 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 절단 방법 및 그로부터 제조된 탄소나노튜브에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 단순한 공정에 의해서 길이가 짧고 균일하며 개방 말단을 갖는 절단된 탄소나노튜브를 대규모로 제조함으로써, 다양한 분야에의 응용성 및 적용가능성이 확대된 탄소나노튜브를 제공할 수 있다. 탄소나노튜브, π-적층 복합체 용액, 질산 용액 처리
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특허명 | 출원일 | ||
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