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플렉시블 투명전극 제조 방법
| 특허명 | 플렉시블 투명전극 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2007년 10월 15일 |
| 공개일 | 2009년 4월 20일 | 공고일 | 2010년 6월 10일 |
| 요약 |
본 발명은 탄소나노튜브(Cabon Nano Tube, CNT)/전도성 고분자 박막의 이형 패턴을 가지는 플렉시블 투명전극 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기존의 포토리소그라피 공정을 사용하지 않고, 소프트 리소그라피 공정을 사용하여 전도성 고분자 박막 패턴을 형성한 뒤 자기 조립층(Self Assembled Monolayer, SAM) 처리를 실시하여 별도로 정렬할 필요없이 상부에 탄소나노튜브(CNT)를 형성시켜 이형의 패턴을 가지는 플렉시블 투명전극 제조 방법에 관한 것이다. CNT, 전도성 고분자, 이형 패턴, SAM
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| 특허명 | 출원일 | ||
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