특허명 | 3차원 헤민 구조체 및 그 제조방법 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 5월 18일 |
공개일 | 2019년 11월 27일 | 공고일 | 2020년 5월 14일 |
요약 |
본 발명은 3차원 헤민 구조체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 3차원 헤민 구조체는 전기장(E)을 형성하는 양극(1)과 음극(3) 사이에 배치되는 분산매(10); 및 분산매(10)에 분산된 헤민 입자(hemin particle, 20);를 포함하고, 전기장(E)이 형성될 때에, 전기장(E) 방향을 따라 헤민 입자(20)끼리 인접 배열되면서 전기전도성 3차원 구조체(100)를 형성한다.
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특허명 | 출원일 | ||
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