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발광소자
| 특허명 | 발광소자 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2020년 3월 31일 |
| 공개일 | 2020년 4월 8일 | 공고일 | 2020년 11월 4일 |
| 요약 |
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법은, 성장 기판 상에 차례로 GaN 버퍼층, 제1 n형 GaN층, 제1 다중 양자 우물층, 제1 p형 AlGaN층, 및 제1 p형 GaN층을 형성하는 단계; 상기 p형 GaN층, 상기 p형 AlGaN층, 및 상기 제1 다중 양자 우물층을 국부적으로 제거하는 단계; 및 상기 제1 다중 양자 우물층이 국부적으로 제거된 위치에 제2 n형 GaN층, 제2 다중 양자 우물층, 제2 p형 AlGaN층, 및 제2 p형 GaN층을 형성하는 단계; 를 포함한다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
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