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마스크 없이 반응성 이온 식각만으로 쉽게 나노 패턴을 형성하는 방법
| 특허명 | 마스크 없이 반응성 이온 식각만으로 쉽게 나노 패턴을 형성하는 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 10월 18일 |
| 공개일 | 2011년 9월 1일 | 공고일 | 2012년 10월 10일 |
| 요약 |
본 발명은 나노 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 1) 기판 상에 고분자 레지스트를 도포하는 단계, 2) 상기 고분자 레지스트가 도포된 기판에 산소 플라즈마 공정을 수행하여 다음 단계 3)에서 자가 마스크(self-mask) 형성 시 자가 마스크 물질의 부착 선택성을 부여할 수 있는 고분자 모패턴(polymeric mother pattern)을 만드는 단계, 및 3) 불소계 플라즈마 공정을 수행하여 고분자 모패턴에 자가 마스크(self-mask) 물질이 선택적으로 부착되도록 하고 반응성 이온 식각에 의하여 나노 패턴을 제조하는 단계를 포함하는 나노 패턴의 제조방법을 포함한다. 본 발명에 따른 나노 패턴을 형성하는 방법에 따라 포토마스크 및 현상의 단계가 필요 없이 간단한 공정만으로 기판 위에 나노 패턴을 제조할 수 있다.
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