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단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법
| 특허명 | 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계 효과 트랜지스터의 자기조립 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 1월 21일 |
| 공개일 | 2019년 8월 7일 | 공고일 | 2020년 11월 16일 |
| 요약 |
본 발명에 따른 단일 및 다중 층 이황화 몰리브덴 나노시트 기반의 전계효과 트랜지스터의 자기조립 방법은 친수성 이황화 몰리브덴 플레이크 현탁액을 제조하는 단계; 기재 표면 상에 친수성 채널과 소수성 채널을 포함하는 패턴을 형성하는 단계; 상기 친수성 채널에 이황화 몰리브덴 나노시트를 형성하는 단계; 및 상기 기재 표면 상에 리프트 오프 공정 기반의 금속전극을 형성하는 단계; 를 포함할 수 있다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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