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발광 다이오드의 사파이어 기판 패터닝 방법
| 특허명 | 발광 다이오드의 사파이어 기판 패터닝 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2007년 6월 26일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2008년 12월 3일 |
| 요약 |
나노스피어 리소그래피 공정을 이용하여 LED의 사파이어 기판에 서브 마이크론급 패턴을 형성하는 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 방법은 기판(11) 상에 실리콘 산화막(12)을 형성하는 단계, 실리콘 산화막(12) 상에 나노스피어(13)를 배치하는 단계; 나노스피어(13)를 식각하는 단계, 실리콘 산화막(12) 및 나노스피어(14)를 어닐링 하는 단계, 및 나노스피어(14)를 식각 마스크로 하여 실리콘 산화막(12)을 식각하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명은 LED의 사파이어 기판에 저비용으로 고품위의 미세 패턴을 형성할 수 있어 고효율 LED의 양산화 공정에 적용 가능하다. LED, GaN, 사파이어 기판, 나노스피어 리소그래피
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| 특허명 | 출원일 | ||
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