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단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 제조방법
| 특허명 | 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2012년 1월 3일 |
| 공개일 | 2013년 7월 11일 | 공고일 | 2013년 12월 5일 |
| 요약 |
단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터는 기판, 및 기판상에 형성된 단결정 나노와이어를 포함한다. 이때 단결정 실리콘 나노 와이어는, 단결정 실리콘 나노와이어의 길이 방향으로 서로 이격되어 형성되는 소스 영역과 드레인 영역, 소스 영역과 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 포함하고, 길이 방향과 수직 방향으로의 채널 영역의 두께는 소스 영역과 드레인 영역의 두께보다 작다. 이와 같이, 트랜지스터의 채널로 사용되는 단결정 실리콘 나노와이어 채널 영역의 직경을 인접하는 소스 영역과 드레인 영역보다 작게 구현함으로써, 소스와 드레인의 기생저항이 작으면서도 우수한 정전기적 제어효과를 가지는 나노와이어를 이용한 트랜지스터를 제조할 수 있게 된다. 또한, 상기 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터는 채널 영역을 둘러싸는 게이트 전극, 및 단결정 실리콘 나노와이어 채널 영역과 게이트 전극 사이에 고유전율(high-k) 게이트 절연막을 더 포함할 수 있다. 이와 같이, 단결정 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터의 게이트 전극을 게이트 올 어라운드(Gate All Around; GAA)형으로 구성함으로써, 미세 크기를 가지면서도 단채널 효과를 극복할 수 있는 구조의 나노와이어를 이용한 트랜지스터 소자를 제조할 수 있게 된...(이하생략)
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