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반도체 소자 및 그 제조방법
| 특허명 | 반도체 소자 및 그 제조방법 | ||
| 출원인 | 엘지이노텍 주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 1월 24일 |
| 공개일 | 2019년 8월 1일 | 공고일 | - |
| 요약 |
실시예는 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 복수의 돌출부를 포함하는 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; 및 상기 희생층 상에 발광구조물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법 중 복수의 돌출부를 포함하는 기판 상에 희생층을 형성하는 단계는, 상기 복수의 돌출부를 포함하는 상기 기판 상에 마스크를 형성하는 단계; 상기 마스크의 일부를 식각하여 상기 복수의 돌출부가 일부 노출되는 단계; 상기 마스크와 상기 복수의 돌출부 상에 상기 희생층을 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 그리고, 상기 희생층 상에 발광구조물을 형성하는 단계는, 상기 복수의 돌출부 사이 및 상기 기판과 상기 희생층 사이의 에어 터널에 식각 용액을 주입하여 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 식각용액이 에어 터널에 주입되어 상기 식각 용액이 기판의 복수의 돌출부와 충돌하지 않고 에어 터널로 흐를 수 있어 희생층을 빠르게 식각할 수 있다. 또한, 상기 희생층만은 선택적으로 식각할 수 있다. 상기 희생층만을 선택적으로 식각함에 따라 발광 구조물의 손상을 방지할 수 있어 발광 효율을 향상 시킬 수 있다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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