특허명 | 은 나노입자 전극 및 그 제조방법 | ||
출원인 | 엘지이노텍 주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 2월 8일 |
공개일 | 2019년 8월 19일 | 공고일 | - |
요약 |
실시예는 은 나노입자 전극 및 이의 제조방법에 대한 것이다. 실시예에 따른 은 나노입자 전극은, 기판; 및 상기 기판 상에 배치되는 은 나노입자 박막;을 포함하며, 상기 은 나노입자 박막은, 은 나노입자; 및 상기 은 나노입자의 표면 상의 할로겐 리간드(halide ligand);를 포함할 수 있다.
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특허명 | 출원일 | ||
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은 나노입자 전극 및 이의 제조방법 | 2016년 12월 15일 | ||
스트레인 센서 및 이의 제조방법 | 2019년 8월 30일 | ||
스트레인 게이지 및 그 제조방법 | 2017년 4월 28일 | ||
스트레인 게이지 센서 및 그 제조방법 | 2018년 1월 30일 | ||
다층 전극 구조물 | 2015년 3월 24일 |