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발광소자 및 이의 제조방법
| 특허명 | 발광소자 및 이의 제조방법 | ||
| 출원인 | 엘지이노텍 주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 7월 25일 |
| 공개일 | 2021년 2월 3일 | 공고일 | - |
| 요약 |
실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층을 식각하는 단계, 상기 버퍼층 상에 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계 및 상기 발광 구조물 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 버퍼층을 식각하는 단계는 상기 버퍼층 상에 패턴층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층의 상면에 리세스를 형성하는 단계 및 상기 패턴층을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 패턴층의 두께는 5nm 내지 990nm이며 피치 간격은 10nm 내지 99㎛이고, 상기 리세스를 형성하는 단계는 전기화학 식각(electrochemical etch)을 이용하는 단계이다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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