특허명 | 발광 소자, 및 그 제조 방법 | ||
출원인 | 엘지이노텍 주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 7월 30일 |
공개일 | 2012년 2월 9일 | 공고일 | 2017년 2월 15일 |
요약 |
발광 소자 제조 방법은 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층이 순차로 적층된 발광 구조체를 형성하는 단계, 상기 제2 도전형 반도체층 표면에 서로 이격하는 홈들을 포함하는 제1 요철 패턴을 형성하는 단계, 상기 홈들 각각의 내부에 적어도 하나의 나노 입자를 채우는 단계, 상기 홈들 내부에 채워진 나노 입자들을 식각하여 크기를 줄이는 단계, 상기 크기가 준 나노 입자들을 마스크로 이용하여 상기 홈들이 형성된 제2 도전형 반도체층을 식각하여 상기 홈들 내부에 제2 요철 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 요철 패턴 형성 후 잔류하는 나노 입자들을 제거하는 단계, 및 상기 제1 요철 패턴 및 제2 요철 패턴이 형성된 제2 도전형 반도체층 상에 전도층을 형성하는 단계를 포함한다.
|
특허명 | 출원일 |
---|