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반도체 소자 제조방법 및 제조된 반도체 소자
| 특허명 | 반도체 소자 제조방법 및 제조된 반도체 소자 | ||
| 출원인 | 엘지이노텍 주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 2월 14일 |
| 공개일 | 2019년 8월 22일 | 공고일 | - |
| 요약 |
실시 예는, 기판 상에 그래핀을 전사하는 단계; 상기 그래핀에 결함을 형성하는 단계; 상기 그래핀 상에 반도체층을 성장시키는 단계; 및 상기 반도체층을 상기 기판에서 분리하는 단계를 포함하고, 상기 그래핀에 결함을 형성하는 단계에서, 결함이 형성된 그래핀은 하기 관계식 1을 만족하는 반도체 소자 제조방법을 개시한다. [관계식 1] 2D/G 003c# 1 상기 관계식 1에서, 2D는 라만 시프트 2600cm -1 내지 2800cm -1 사이에서 나타내는 피크의 강도이고, G는 라만 시프트 1500cm -1 내지 1600cm -1 사이에서 나타내는 피크의 강도이다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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