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비대칭 교환 상호작용 조절을 통한 자기 스커미온 소자
| 특허명 | 비대칭 교환 상호작용 조절을 통한 자기 스커미온 소자 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 4월 16일 |
| 공개일 | 2020년 10월 26일 | 공고일 | 2021년 2월 26일 |
| 요약 |
본 발명의 일 실시예에 따른 스커미온 소자는, 비대칭 교환 상호작용을 가지며 면내 전류가 흐르고 제1 방향으로 연장되고 차례로 적층된 금속층과 자성층을 포함하는 자성 패턴; 상기 자성 패턴의 일부를 덮도록 배치되고 적어도 하나의 개구부를 포함하는 제어 전극; 상기 제어 전극과 이격되고 상기 자성 패턴 상에 배치되어 상기 자성 패턴 내에 스커미온을 생성하는 적어도 하나의 쓰기 자기 터널 접합 구조; 상기 제어 전극의 상기 개구부에 배치되고 상기 스커미온 또는 상기 스커미온의 위상 상태를 검출하고 상기 자성 패턴의 배치 평면 내에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향 방향으로 배열된 적어도 하나의 검출 자기 터널 접합 구조; 및 상기 제어 전극과 상기 자성 패턴 사이에 배치되는 절연층;을 포함한다. 상기 스커미온은 상기 면내 전류에 의하여 상기 자성 패턴의 상기 제1 방향을 따라 진행하고, 상기 제어 전극의 인가 전압은 상기 자성 패턴의 상기 비대칭 교환 상호작용을 국부적으로 변경하여 상기 자성 패턴의 배치 평면 내에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향의 변위를 갖도록 상기 스커미온을 이동시킨다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 자기 터널 접합 소자 및 자기 메모리 소자 | 2016년 10월 20일 | ||
| 비대칭 자기 소자 | 2017년 1월 23일 | ||
| 광 추출 효율 및 전류 주입 효율 개선을 위한 LED 소자 | 2016년 6월 9일 | ||
| 자기 메모리 소자 | 2015년 5월 13일 | ||
| 다층 자성 박막 스택 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 | 2015년 2월 23일 | ||
