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중공 반사체 및 그의 제조방법
| 특허명 | 중공 반사체 및 그의 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 8월 19일 |
| 공개일 | 2021년 3월 2일 | 공고일 | - |
| 요약 |
본 발명은 중공 반사체 및 이의 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 중공 반사체의 제조방법은 기판 상에 고분자를 포함하는 용액을 도포하여 고분자층을 형성하는 단계; 상기 고분자층이 형성된 기판 상에 요철 패턴을 가지는 스탬프를 이용하여 음각부와 양각부를 포함하는 고분자 패턴을 형성하는 단계; 상기 음각부를 통해 상기 기판이 노출되도록 상기 고분자 패턴의 음각부를 식각하는 단계; 상기 고분자 패턴 상에 무기물 박막을 증착하는 단계; 상기 무기물 박막이 증착된 고분자 패턴의 양각부 상에 상기 고분자 패턴의 직경보다 작은 직경을 가지는 미세 패턴을 형성하는 단계; 및 열처리를 통해 상기 고분자 패턴을 제거하여 중공 반사체를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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