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단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자를 이용하는 축적 및 발화 뉴런회로
| 특허명 | 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자를 이용하는 축적 및 발화 뉴런회로 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 8월 22일 |
| 공개일 | 2021년 3월 4일 | 공고일 | - |
| 요약 |
본 발명은 적은 면적과 낮은 전력 소비를 위해 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자(FBFET)를 사용하는 새로운 축적 및 발화 뉴런회로(integrate-and-fire (IF) neuron circuit)에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 뉴런회로는 커패시터를 통해 시냅스로부터 입력되는 전류를 충전하여 포텐셜(potential)를 생성하고, 상기 생성되는 포텐셜이 임계값을 초과하면, 상기 커패시터에 연결된 단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자를 이용해서, 상기 생성되는 포텐셜에 상응하는 스파이크 전압을 생성하여 출력하며, 상기 피드백 전계효과 전자소자에 연결되는 트랜지스터들을 이용해서 상기 생성된 스파이크 전압을 리셋할 수 있다.
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