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CIGS박막의 제조방법
| 특허명 | CIGS박막의 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2011년 7월 6일 |
| 공개일 | 2012년 1월 12일 | 공고일 | 2012년 8월 7일 |
| 요약 |
본 발명은 전극을 포함하는 기판을 Na 2 SO 4 , 구리(Cu) 수용성 전구체, 인듐(In) 수용성 전구체, 갈륨(Ga) 수용성 전구체 및 셀레늄(Se) 수용성 전구체를 포함하는 전해질 용액에 침지하는 단계; 상기 전해질 용액을 상온, 상압에서 DC로 -0.95V 내지 -0.85V로 전압을 인가하여 10~120분 동안 전착을 수행하여 예비 CIGS 박막을 형성하는 단계; 및 상기 예비 CIGS 박막을 230~270℃에서 열처리하여 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법에 관한 것이다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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