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반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법
| 특허명 | 반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2007년 10월 29일 |
| 공개일 | 2008년 6월 12일 | 공고일 | 2009년 2월 27일 |
| 요약 |
반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자용 지지기판은 광학적으로 투명하며 전기적으로 부도체의 물질로 선택된 선택지지기판; 상기 선택지지기판 상부에 형성되며, GaN, InGaN, AlGaN, ZnO, InN, In 2 O 3 , ITO, BeMgO, MgZnO, SiO 2 , Si 3 N 4 중 적어도 하나 이상을 포함하는 질소 또는 산소와 결합된 단결정, 다결정 또는 비정질상의 물질로 이루어지거나 Si 단결정, 다결정, 또는 비정질상 물질로 이루어진 희생층; 상기 희생층의 상부에 형성되며, 열 및 전기 전도체로 이루어진 히트 씽크층; 및 상기 히트 씽크층의 상부에 형성되며, 브레이징 금속을 포함하는 재질로 이루어진 본딩층을 구비하여 이루어진다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자용 지지기판을 이용하여 수직구조의 반도체 발광소자를 제조하면, 최초 성장기판으로부터 분리(Lift-Off)된 반도체 단결정 다층구조체의 손상을 줄일 수 있어서, 전체적인 성능이 향상된 수직구조의 그룹 3-5족 질화물계 반도체 발광소자를 제공할 수 있게 된다. 삭제
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
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