특허명 | 미세전류 발생을 이용한 세포 배양 장치 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 12월 13일 |
공개일 | 2012년 6월 21일 | 공고일 | 2013년 3월 6일 |
요약 |
본 발명은 미세전류 발생을 이용한 세포 배양 장치에 관한 것이다. 본 발명은 내부에 세포를 위치시켜 배양하는 인큐베이터와; 세포에 공급되는 미세전류를 발생시키는 신호를 제어하고, 미세전류의 레벨을 확인하여 설정된 전압의 레벨로 변화시켜 미세전류의 공급 레벨을 조절하는 제어부와; 제어부에서 발생시킨 신호에 따라 미세전류를 출력하여 세포에 공급하는 미세전류 출력부를 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 미세전류가 정전류로 유지됨으로써 일정한 전류로 세포 배양을 하게 됨으로써 동종 세포의 물리 화학적 변화를 정확하게 관찰할 수 있고, 세포의 저항값을 실시간으로 반영할 수 있는 효과가 있다.
|
특허명 | 출원일 | ||
---|---|---|---|
반도체 장치 | 2011년 11월 29일 | ||
압력 조절 배양 장치 | 2007년 2월 16일 | ||
아날로그-디지털 변환기의 동적 레지듀 증폭기 및 그 증폭 방법 | 2014년 1월 23일 | ||
발광 소자 구동 장치 | 2016년 12월 23일 | ||
변화에 둔감한 최대전력점추적을 이용한 열 에너지 하베스팅 제어 장치 및 방법 | 2012년 3월 26일 |