기술 검색
수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판, 이를 이용한 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법 및 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
| 특허명 | 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판, 이를 이용한 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법 및 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2008년 11월 24일 |
| 공개일 | 2010년 6월 3일 | 공고일 | 2010년 12월 8일 |
| 요약 |
반도체 발광소자 제조시 사파이어 기판으로부터 분리되는 그룹 3-5족 질화물계 반도체로 구성된 다층발광구조체 박막의 손상을 최소화시키고, 그 결과 반도체 발광소자의 전체적인 성능이 향상될 수 있는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판, 이를 이용한 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법 및 수직구조를 갖는 반도체 발광소자에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판은 그룹 3-5족 질화물계 반도체로 구성되는 다층발광구조체 박막이 적층되는 사파이어 기판과의 열팽창 계수 차이가 5ppm/℃ 이하인 물질로 이루어진 선택지지기판; 상기 선택지지기판 상에 형성되며, 질소 또는 산소와 결합된 단결정, 다결정 또는 비정질상의 화합물로 이루어지거나, 화학적 에칭에 의해 제거 가능한 물질로 이루어진 희생층(sacrificial layer); 상기 희생층의 상부에 형성되는 금속후막(thick metal film); 및 상기 금속후막의 상부에 형성되며, 솔더링(soldering) 또는 브레이징(brazing) 합금 물질로 이루어진 본딩층을 구비하여 이루어진다.
|
||
관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법 | 2007년 10월 29일 | ||
| 반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법 | 2007년 10월 29일 | ||
| 마스크 패턴 및 질화물계 물질의 선택적 성장을 이용한 광소자 제조 방법 | 2018년 1월 25일 | ||
| 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | 2011년 12월 13일 | ||
| 산화물 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 2017년 8월 3일 | ||
