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자계 효과 트랜지스터
| 특허명 | 자계 효과 트랜지스터 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2011년 12월 28일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2013년 2월 13일 |
| 요약 |
자게 효과 트랜지스터가 개시된다. 자계 효과 트랜지스터는 전류 제어부, 및 자계 인가부를 포함한다. 전류 제어부는 복수의 전극, 및 복수의 전극 사이에 위치하며 외부에서 인가되는 자계에 상기 전극 사이에 흐르는 전류량을 변화시키는 전류 소통 물질 영역을 포함하고, 자계 인가부는 외부 입력에 따라 변화하는 미리 설정된 물질의 자화 상태에서 발생하는 자계를 전류 소통 물질 영역에 인가한다. 자계를 이용하여 전류를 제어함으로써 충전 시간이 필요 없어 고속 동작이 가능하며, 외부 입력에 따라 물질의 자화 상태를 변경시켜 자계를 공급하므로 외부 전원의 공급 없이도 연산 결과를 저장할 수 있게 된다.
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