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불소 계열 물질이 도핑된 투명 전극층을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
| 특허명 | 불소 계열 물질이 도핑된 투명 전극층을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 12월 15일 |
| 공개일 | 2012년 6월 25일 | 공고일 | 2012년 8월 7일 |
| 요약 |
본 발명은 불소 계열 물질이 도핑된 투명 전극층을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 투명 전극층을 형성하는 TCO 물질을 플라즈마 상태에서 불소 계열 물질과 반응시켜 불소 계열 물질로 도핑함으로써, 투명 전극층의 일함수를 증가시켜, 투명 전극층과 접촉하는 질화물층과의 쇼키 장벽 높이를 감소시키고, 이에 따라서 투명 전극층과 질화물층간의 접촉저항을 감소시킴으로써, 질화물층으로의 전류 주입 효율을 향상시킬 수 있다. 특히, UV 반도체 발광소자의 경우에, 자외선 영역의 빛을 발생시키기 위해서 활성층을 포함하는 질화물층에 Al등을 도핑하는 경우에 투명 전극층과 질화물층간의 쇼키 장벽 높이가 더욱 커지고 이에 따라서 접촉 저항이 커짐으로 인해서 광효율이 저하되는 문제점이 발생하였는데, 본 발명은 투명 전극층을 불소 계열의 물질로 도핑하여 투명 전극층의 일함수를 증가시켜, 투명 전극층과 접촉하는 질화물층과의 쇼키 장벽 높이를 감소시키고, 이에 따라서 투명 전극층과 질화물층간의 접촉저항을 감소시킴으로써, 투명 전극층의 전기적 특성 및 광학적 특성을 향상시킴으로써, UV 반도체 발광 소자에 있어서의 전류 주입 효율 및 자외선 영역의 빛의 투과율을 향상시킬 수 있다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
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