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질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
| 특허명 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | ||
| 출원인 | 삼성엘이디 주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2008년 12월 17일 |
| 공개일 | 2010년 6월 25일 | 공고일 | 2010년 12월 28일 |
| 요약 |
본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명은, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 순차적으로 형성된 p형 질화물 반도체층, 활성층 및 n형 질화물 반도체층을 구비하는 발광적층체; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 페시베이션층; 및 상기 페시베이션층 상에 형성된 n형 오믹 전극;을 포함하며, 상기 페시베이션층은 상기 n형 오믹 전극과 오믹컨택을 이루는 도전성 물질로 이루어진 질화물 반도체 발광소자를 제공함으로써, 열처리 공정을 거치지 않더라도 열적으로 안정하며 전기적 특성이 우수한 n형 오믹 전극을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 상기와 같은 우수한 열적·전기적 특성을 나타내기 위한 최적화된 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다. 발광소자, 오믹컨택, 셀레늄, 페시베이션, 표면처리
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 금속/그래핀 투명전극을 포함하는 발광소자 및 이의 제조방법 | 2011년 1월 4일 | ||
| 산화물 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 2017년 8월 3일 | ||
| 수직형 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 | 2016년 7월 1일 | ||
| 질화물 반도체 발광소자 | 2010년 2월 23일 | ||
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