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헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터
| 특허명 | 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2018년 6월 12일 |
| 공개일 | 2019년 12월 20일 | 공고일 | 2020년 2월 6일 |
| 요약 |
본 발명은 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터는, 콜렉터층(11), 베이스층(12), 및 이미터층(13)이 순차적으로 적층되어 pnp 또는 npn 이중 헤테로 접합을 형성하는 헤테로 구조체(10)를 포함하는 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 상기 헤테로 구조체(10)는, pn 접합을 이루는 p형 및 n형 2차원 물질이 교대로 적층되어, 콜렉터층(11), 베이스층(12), 및 이미터층(13)을 형성한다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 박막 트랜지스터 | 2016년 9월 21일 | ||
| 유기발광 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 2016년 12월 29일 | ||
| 3차원 헤민 구조체 및 그 제조방법 | 2018년 5월 18일 | ||
| 유기발광 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 2017년 1월 4일 | ||
| 반도체 구조체 및 그 제조방법 | 2017년 10월 17일 | ||
