본 발명은 나노 물질을 브리지 회로의 저항으로 적용한 센서 시스템을 공개한다. 본 발명은 환경 변화에 대한 반응성이 뛰어난 나노 물질을 반응 물질로 이용함으로써, 보다 미세한 환경 변화에 대해서도 신뢰할 수 있는 측정 결과를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 나노 물질을 센서에 많이 이용되는 브리지회로의 저항으로 이용하고, 대상 물질의 측정에 이용되는 나노 물질 영역을 제외한 나머지 영역은 유전체로 매립하여 외부 환경에 노출되지 않도록 보호함으로써, 시간이 지남에 따라서 발생하는 센서의 성능 열화를 최소화하였다. 또한, 본 발명은 나노 물질 위에 형성된 게이트에 전압을 인가하여 나노 물질에 전계를 형성함으로써, 나노 물질의 저항을 변화시킬 수 있다. 따라서, 휘트스톤 브리지 회로의 저항을 구성하는 나노 물질의 저항을 사용자의 의도대로 설정할 수 있으며, 이에 따라서 성능 열화에 대한 저항값을 보정함으로써, 성능 열화 및 외부 잡음에 의한 측정값의 변화를 배제하고, 실제로 외부 환경 변화에 의해서 변화된 저항값만을 측정하고, 저항값에 대응되는 대상 물질의 존재 여부 및 농도를 측정할 수 있으므로, 보다 신뢰성 있는 측정이 가능하다. 또한, 본 발명은 휘트스톤 브리지 회로의 내부 평형 조건을 자동으로 조절할 수 있는 회로 장치와 하나의 반도체칩에 일체로 구현되어, 사용자가 일일이 조건을 설정할 필요없이...(이하생략)
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