기술 검색
반사 방지막을 구비한 반도체 발광소자 및 그 제조방법
| 특허명 | 반사 방지막을 구비한 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 1월 11일 |
| 공개일 | 2011년 7월 19일 | 공고일 | 2012년 3월 9일 |
| 요약 |
본 발명은 반도체 발광소자의 광추출효율(extraction efficiency) 개선을 위해 반사 방지막(anti-reflection layer)을 구비한 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광소자 제조방법은 기판 상에 반도체로 구성되어 광을 발생시키는 광 발생부를 형성하고, 광 발생부 상에 고분자층을 형성하고, 고분자층 상에 복수의 비드를 도포하고, 고분자층을 유리 전이온도(glass transition temperature) 이상으로 가열하여 비드의 일부분을 상기 고분자층에 침전시킨 후, 비드를 제거하여 반구형의 홈부가 형성되어 있는 반사 방지막(anti-reflection layer)을 형성한다.
|
||
관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 | 2009년 2월 23일 | ||
| 태양전지 제조방법 및 이에 의해 제조되는 태양전지 | 2008년 8월 6일 | ||
| 박막 트랜지스터 | 2016년 9월 21일 | ||
| 반도체 구조체 및 그 제조방법 | 2019년 3월 18일 | ||
| 프리즘과 홀로그램 패턴 일체형의 도광판 제조방법 | 2009년 1월 30일 | ||
