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전하-플라즈마 효과가 적용된 반도체 소자 및 이의 제조 방법
| 특허명 | 전하-플라즈마 효과가 적용된 반도체 소자 및 이의 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 8월 5일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2021년 2월 4일 |
| 요약 |
본 발명은 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 소자는 몸체, 상기 몸체의 적어도 일 방향에 형성된 도핑 영역, 및 상기 몸체에 대향하여 상기 도핑 영역에 형성된 단자를 포함하되, 상기 도핑 영역은 경사지거나 또는 라운드지게 형성된 적어도 하나의 모서리를 포함할 수 있다.
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