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모스 버랙터 제조방법
| 특허명 | 모스 버랙터 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2009년 3월 27일 |
| 공개일 | 2010년 10월 6일 | 공고일 | 2013년 3월 25일 |
| 요약 |
본 발명은 밀리미터 웨이브 대역의 회로 및 소자를 위한 MOS 버랙터로서, 기판의 웰 영역에 섬 모양으로 안착된 복수의 게이트 및 상기 게이트 위의 게이트컨택을 이용하여 시리즈 저항을 줄이고 Q-인자를 개선시킨 MOS 버랙터 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 기판의 웰 영역에서 (n×m)의 행렬(단, n, m은 각각 1보다 큰 정수)로 등 간격 배열되는 섬 모양 게이트절연막 및 상기 게이트절연막 상부에 놓인 제 1 높이(t1)의 게이트전극; 상기 게이트전극에 접촉된 게이트컨택; 상기 게이트컨택과 전기적으로 연결된 제 2 높이(t2, 단 t1003c#t2)의 제 1 금속배선; 상기 게이트전극을 중심에 둔 정사각형의 꼭지점을 이루도록 (n+1)×(m+1)의 행렬로 등 간격 배열되어 상기 게이트절연막의 하단을 제외한 도핑영역에 접촉되는 소스 및 드레인컨택; 및 상기 소스 및 드레인컨택과 전기적으로 연결된 제 3 높이(t3, 단 t2003c#t3)의 제 2 금속배선을 포함하는 MOS 버랙터 및 이의 제조방법을 제공한다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 모스 버랙터 | 2011년 7월 28일 | ||
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| 태양전지 및 그 제조방법 | 2010년 7월 12일 | ||
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