특허명 | 고감도 스트레인 센서 및 이의 제조방법 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 8월 5일 |
공개일 | 2021년 2월 17일 | 공고일 | 2021년 3월 11일 |
요약 |
본 발명은 고감도 스트레인 센서 및 이의 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 고감도 스트레인 센서는 기판; 상기 기판 상에 형성되고 전도성 나노 입자를 포함하는 박막; 및 상기 전도성 나노 입자를 둘러싸고 상에 절연성 물질로 형성된 코팅부를 포함하며, 상기 절연성 물질은 상기 전도성 나노 입자 간 터널링(tunneling) 거리를 증가시키는 것을 특징으로 한다.
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특허명 | 출원일 | ||
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