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터널링 전류의 디콘볼루션 특성을 갖는 혼성 자기조립 단층 및 이를 포함하는 분자전자소자
| 특허명 | 터널링 전류의 디콘볼루션 특성을 갖는 혼성 자기조립 단층 및 이를 포함하는 분자전자소자 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 4월 30일 |
| 공개일 | 2020년 1월 30일 | 공고일 | 2021년 3월 12일 |
| 요약 |
본 발명은 터널링 전류의 크기와 분포를 제어할 수 있는 혼성 자기조립 단층 (mixed-SAMs)과 이를 포함하는 분자전자소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 혼성 자기조립 단층은 표면 상분리에 의한 표면 토폴로지 (topology) 제어를 통하여 터널링 전류 밀도의 크기 및 분포를 제어할 수 있고, 터널링 전류의 디콘볼루션을 유도할 수 있어 이러한 특징적 전기 신호를 이용하여 다양한 특성을 갖는 분자 전자 소자 내의 유기 소재로서 활용이 가능하고, 나아가 혼성 자기조립 단층의 표면 topography 및 결함 정도에 따라 터널링 전류 밀도의 크기 및 분포도를 미세하게 제어할 수 있어 이를 통해 mixed-SAM을 양자 암호화 소재 및 암호 소자로 사용할 수 있다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 혼성 자기조립 단분자층을 포함하는 분자 정류기 및 이의 제조방법 | 2016년 7월 1일 | ||
| 입력 장치 | 2011년 3월 29일 | ||
| 토폴로지 제어를 위한 방법 및 그 전자 장치 | 2013년 10월 15일 | ||
| 탄소나노튜브 이용한 나노 채널 제조 방법 및 이를 이용한 나노 구조물 | 2013년 6월 4일 | ||
| 공개키 기반 암호화 방법 및 키 생성 서버 | 2016년 10월 27일 | ||
