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전자 방출원의 제조방법 및 이를 적용한 전자소자의 제조방법
| 특허명 | 전자 방출원의 제조방법 및 이를 적용한 전자소자의 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2009년 6월 11일 |
| 공개일 | 2010년 12월 21일 | 공고일 | 2011년 12월 15일 |
| 요약 |
전자 방출원의 제조방법 및 이를 적용하는 전자소자의 제조방법에 관련되어 기술된다. 전자 방출원의 전자방출 물질층은 필트레이션 및 전사법에 의해 형성되며, 전사는 소정 패턴의 윈도우(개구)를 가지는 마스크를 이용함으로써 목적하는 형태의 전자방출층을 자유롭게 얻을 수 있다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
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