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AlN의 선택적 습식 식각 방법
| 특허명 | AlN의 선택적 습식 식각 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 9월 25일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2021년 2월 18일 |
| 요약 |
본 발명은 AlN의 선택적 습식 식각 방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 AlN의 선택적 습식 식각 방법은 질화알루미늄(Aluminum nitride, AlN) 기판(10)의 표면에 고에너지 빔을 조사하여, 결함 표면(11)을 생성하는 단계(S100), 결함 표면(11) 중 일부 영역(13)이 노출되도록, 마스크(20)를 패터닝하는 단계(S200), 질화알루미늄 기판(10)을 식각액(30)에 침지시켜, 노출된 일부 영역(13)을 습식 식각하는 단계(S300), 및 습식 식각된 질화알루미늄 기판(10)을 열처리하여, 결함 표면(11)을 회복시키는 단계(S400)를 포함한다.
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