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물리적 전사 방법에 의한 탄소나노튜브 기반의 유연 센서 소자 제조 방법
| 특허명 | 물리적 전사 방법에 의한 탄소나노튜브 기반의 유연 센서 소자 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2011년 6월 10일 |
| 공개일 | 2012년 12월 20일 | 공고일 | 2013년 2월 18일 |
| 요약 |
본 발명은 유연 센서 소자의 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 고체 기판에 형성된 센서부를 유연 기판에 전사함으로써 유연성이 뛰어난 센서 소자를 제공한다. 특히, 본 발명은, 종래 기술에 따라서 고체 기판에 센서부를 형성하고, 완전 경화된 후에도 유연성 있는 유연 기판의 표면이 경화되기 직전에, 즉, 유연 기판 표면에 점성이 있는 상태에서, 고체 기판에 형성된 센서부를 점성이 있는 유연 기판의 표면에 압입하고, 센서부가 압입된 상태에서 유연 기판 표면을 경화시킨 후, 고체 기판을 분리함으로써, 간편하게 센서부를 고체 기판으로부터 유연 기판으로 전사할 수 있다. 또한, 본 발명은 센서부의 활성층을 막대 형상을 갖는 탄소나노튜브들의 배열로 형성하고, 유연 기판 표면에 점성이 있는 상태에서 센서부를 유연 기판 표면에 압입하여, 유연 기판을 구성하는 물질이 임의로 배열된 탄소나노튜브하부 영역 공간에만 침투하게 함으로써, 탄소나노튜브를 유연 기판에 고정적으로 접합할 수 있게 되어, 활성층을 구성하는 탄소나노튜브가 유연 기판의 휘어짐에도 유연 기판을 이탈하지 않고, 강인한 접합력을 유지할 수 있다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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