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스핀전달토크현상을 이용한 고주파 마이크로 웨이브 및 고주파 자기장 생성 소자
| 특허명 | 스핀전달토크현상을 이용한 고주파 마이크로 웨이브 및 고주파 자기장 생성 소자 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2011년 4월 6일 |
| 공개일 | 2011년 6월 1일 | 공고일 | 2014년 3월 3일 |
| 요약 |
스핀전달토크현상을 이용한 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자 및 고주파 자기장 생성 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자는 고정 자성층 / 비자성층 / 자유 자성층 / 비자성층 / 감지 자성층 / 반강자성층으로 구성된 구조이며, 상기 자유 자성층은 연자성의 제 1 물질을 포함하는 제 1 박막 및 음의 자기이방성 상수(K)를 갖는 제 2 물질로 이루어진 제 2 박막을 포함하고, 상기 고정 자성층은 박막의 수직방향의 자화 특성을 가지며, 그리고 상기 감지 자성층은 박막의 수평방향의 자화 특성을 가지며, 본 발명에 따른 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자는 보다 높은 전류에서도 자화회전이 가능하다. 따라서 본 발명에 따른 고주파 소자는 고주파 교류신호를 생성할 수 있으므로, 이러한 고주파 영역에서 구동되는 Resonator, Oscillator, Band-path filter 등의 소자의 개발에 따라 기존 소자에 비해 보다 많은 정보를 빠른 시간에 전송 및 처리할 수 있으므로, 소자의 효율성을 증대시킬 수 있다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 자기 나노 발진 소자 | 2016년 7월 27일 | ||
| 자기 터널 접합 소자 및 자기 메모리 소자 | 2016년 10월 20일 | ||
| 자기 메모리 소자 | 2015년 5월 13일 | ||
| 비대칭 자기 소자 | 2017년 1월 23일 | ||
| 자기 소자 | 2018년 4월 17일 | ||
