특허명 | 박막성장구조, 박막성장방법 및 박막열처리방법 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2021년 2월 26일 |
공개일 | 2021년 3월 9일 | 공고일 | 2021년 4월 1일 |
요약 |
본 발명은 박막성장구조, 박막성장방법 및 박막열처리방법에 관한 것으로, 일실시예에 따른 박막성장구조는 기판과, 기판 상에 형성된 유동성 지지층과, 유동성 지지층의 상부 표면에 형성된 베이스 및 베이스 상에 성장된 박막을 포함하고, 여기서 기판은 표면에너지가 유동성 지지층을 구성하는 물질의 표면 에너지 보다 큰 물질로 형성되며, 유동성 지지층은 박막의 성장을 위해 기설정된 공정온도 범위에서 증기압이 기설정된 크기 이하이며 액체 상태를 유지하는 물질로 형성될 수 있다.
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특허명 | 출원일 | ||
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