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광전극 및 그 제조방법
| 특허명 | 광전극 및 그 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 7월 22일 |
| 공개일 | 2021년 2월 1일 | 공고일 | - |
| 요약 |
본 발명은 광전극 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 광전극은 전도성 기판(10); 전도성 기판(10) 상에 적층된 n형 반도체층(20); n형 반도체층(20) 상에 적층된 p형 반도체층(30); p형 반도체층(30) 상에 적층된 금속층(40); 및 금속층(40) 상에 적층된 나노구조의 광촉매층(50);을 포함한다.
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