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반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
| 특허명 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2011년 11월 8일 |
| 공개일 | None | 공고일 | 2013년 4월 5일 |
| 요약 |
본 발명은 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 투명 전극층 중에서 p형 반도체층과의 경계면에 2차원 광결정 패턴을 형성함으로써, 광결정 패턴에 의한 광추출 효율을 향상시킬 수 있을뿐만 아니라, p형 반도체층과 투명 전극층간의 접촉 면적을 감소시킴으로써 접촉 저항을 감소시켜 반도체 발광 소자의 전도 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 광결정 패턴 내부에 투명 전극층보다 전도성이 높은 CNT(또는 고전도성 나노와이어) 및 나노 파티클이 채워짐으로써 p형 전극을 통해서 공급되는 전류가 투명 전극층 전체 영역으로 보다 원활하게 전달되어 전류 분산특성을 향상시켜 current crowding을 현저하게 감소시킬 수 있다.
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| 특허명 | 출원일 | ||
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