기술 검색
저전력 테라헤르쯔 자기 나노 발진 소자
| 특허명 | 저전력 테라헤르쯔 자기 나노 발진 소자 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단|한국과학기술원 | 출원일 | 2019년 12월 9일 |
| 공개일 | 2019년 12월 17일 | 공고일 | 2021년 4월 9일 |
| 요약 |
본 발명의 일 실시예에 따른 자기 나노 발진 소자는, 기판 상에 배치된 강자성층; 상기 강자성층 상에 적층된 비자성 도전층; 상기 비자성 도전층 상에 적층된 반강자성층(또는 페리자성층); 및 상기 강자성층과 상기 비자성 도전층의 양측면에 각각 접촉하는 제1, 제2 전극들을 포함한다. 상기 반강자성층(또는 페리자성층)은 막면에 대하여 수직 혹은 수평한 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이며, 상기 강자성층은 상기 강자성층의 막면에서 수평한 방향으로 자화되고, 상기 제1, 제2 전극들을 통해 상기 강자성층과 상기 비자성 도전층에 주입된 면내 전류는 상기 반강자성층(또는 페리자성층)에 전달되는 박막의 두께 방향의 스핀을 포함하는 스핀 전류를 제공하여 상기 반강자성층(또는 페리자성층)의 부격자의 자화 세차운동을 발생시킨다.
|
||
관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 저전력 테라헤르쯔 자기 나노 발진 소자 | 2018년 3월 15일 | ||
| 스핀필터 구조체를 포함하는 자기 터널 접합 소자 | 2017년 10월 26일 | ||
| 자기 나노 발진 소자 | 2016년 7월 27일 | ||
| 비대칭 자기 소자 | 2017년 1월 23일 | ||
| 자기 터널 접합 소자 및 자기 메모리 소자 | 2016년 10월 20일 | ||
