특허명 | 양자점, 이를 포함하는 표시장치 및 그 표시장치의 제조방법 | ||
출원인 | 엘지디스플레이 주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 10월 8일 |
공개일 | 2021년 4월 16일 | 공고일 | - |
요약 |
본 명세서의 실시예들은, 양자점, 이를 포함하는 표시장치 및 그 표시장치의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 정공수송성 작용기를 포함하는 제1 반복단위 및 광가교성 작용기를 포함하는 양자점을 제공함으로써, 포토리소그래피 공정에 의하여 양자점 발광층을 형성할 수 있는 양자점 발광소자를 포함하는 표시장치를 제공할 수 있다.
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특허명 | 출원일 | ||
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아민기를 갖는 덴드리머로 리간드 치환된 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광소자 및 이의 제조방법 | 2016년 6월 3일 | ||
금속/그래핀 투명전극을 포함하는 발광소자 및 이의 제조방법 | 2011년 1월 4일 | ||
금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법 | 2018년 10월 12일 | ||
히드록시아렌 붕소산 화합물의 열적 탈붕소수소화 및 이를 이용하여 페놀계 화합물의 오르소 또는 메타 위치에 작용기를 도입시킨 히드록시아렌 화합물의 제조방법 | 2013년 9월 2일 | ||
내부 반사막을 갖는 패턴사파이어 기판을 이용한 갈륨 질화물층을 포함하는 LED 및 내부 반사막을 갖는 패턴사파이어 기판의 제조방법 | 2012년 1월 19일 |