특허명 | 와이어를 이용하는 공진 구조체와 공진 터널링 트랜지스터및 공진 구조체 제조 방법 | ||
출원인 | 삼성전자주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2008년 1월 23일 |
공개일 | 2009년 7월 28일 | 공고일 | 2014년 5월 29일 |
요약 |
공진 구조체가 개시된다. 본 공진 구조체는, 제1 단자, 상기 제1 단자와 대향 배치된 제2 단자, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자 사이를 연결하는 와이어부, 상기 와이어부와 일정거리 이격 배치되어, 상기 와이어부를 공진시키는 제3 단자 및, 상기 와이어부 상에 형성되며, 네거티브 저항 성분을 제공하는 포텐셜 배리어부를 포함한다. 이에 따라, 트랜스덕션 효율을 높일 수 있다. 공진 구조체, 와이어부, 포텐셜 베리어
|
특허명 | 출원일 | ||
---|---|---|---|
다공성 구조체 및 다공성 구조체의 제조 방법 | 2016년 8월 30일 | ||
다이아몬드 전극의 제조 방법 및 이로 제조된 다이아몬드 전극 | 2019년 6월 19일 | ||
내화 합성 패널 | 2016년 2월 24일 | ||
나노파이버 열전 발전 모듈, 그 제조방법 및 이를 위한 나노파이버 제조 전기 방사 장치 | 2016년 12월 23일 | ||
나노파이버 열전 발전 모듈, 그 제조방법 및 이를 위한 나노파이버 제조 전기 방사 장치 | 2014년 9월 5일 |