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스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자 및 그 제조방법
| 특허명 | 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자 및 그 제조방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2020년 1월 31일 |
| 공개일 | 2021년 4월 26일 | 공고일 | - |
| 요약 |
스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자는 수직자기이방성(perpendicular magnetic anisotropy, PMA) 특성이 발현되는 텅스텐-바나듐(tungsten-vanadium) 합금 박막을 구비하는 스핀토크 발생층 및 스핀토크 발생층 상에 형성되는 자화 자유층을 포함한다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 수직자기이방성을 갖는 합금 박막 | 2016년 12월 14일 | ||
| 다층 자성 박막 스택 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 | 2014년 10월 2일 | ||
| 정류 회로 및 이를 포함하는 압전 에너지 하베스터 | 2015년 12월 23일 | ||
| 자기 메모리 소자 | 2009년 4월 29일 | ||
| 다층 자성 박막 스택 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 | 2015년 2월 23일 | ||
