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이온믹싱법을 이용한 태양전지의 후면전극 제조방법, 및 이에 의해 제조된 태양전지 후면전극
| 특허명 | 이온믹싱법을 이용한 태양전지의 후면전극 제조방법, 및 이에 의해 제조된 태양전지 후면전극 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 10월 29일 |
| 공개일 | 2012년 5월 9일 | 공고일 | 2012년 5월 10일 |
| 요약 |
본 발명은 태양전지 모듈에 있어서 후면전극층에 금속 플라즈마 이온을 주입 및 증착하여 상기 후면전극층의 표면을 개질시킴으로써 태양전지의 후면전극 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 이온믹싱법을 이용한 태양전지의 후면전극 제조방법 및 이에 의해 제조된 태양전지 후면전극에 따르면, 페이스트를 이용한 Ag 버스바를 사용하지 아니하여 후면전극 전체면적에 후면전계가 형성될 수 있어 후면 재결합을 감소시켜 광전기 변환효율을 증대시키는 효과를 가진다. 또한, 이온믹싱법을 사용하여 금속 플라즈마 이온을 주입 및 증착함으로써 후면전극층의 표면을 개질시켜 Ag 버스바보다 금속리본과의 접착성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 아울러, 태양전지의 단회로 광전류 밀도(Jsc), 개방전압(Voc), 및 충진률이 증대될 수 있으며, 고가의 Ag 페이스트를 사용하지 아니함으로써 비용 절약의 효과가 기대된다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
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