특허명 | 유연 전자 소자 보호층의 가스 침투율 측정 장치 및 이를 이용한 가스 침투율 측정 방법 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2011년 8월 24일 |
공개일 | 2013년 3월 6일 | 공고일 | 2013년 5월 13일 |
요약 |
본 발명은 유연 전자 소자에 적용되는 보호층의 가스 침투율을 측정할 수 있는 가스 침투율 측정 장치 및 이를 이용한 가스 침투율 측정 방법을 공개한다. 본 발명은 가스 침투율 측정 장치의 상부뿐만 아니라 하부에도 보호층을 형성하고, 공기 및 수분과 같은 가스가 상부와 하부에 설치된 보호층 각각을 통해서 모두 침투할 수 있도록 구성함으로써, 종래 기술의 가스 침투율 측정 장치의 일면(상부)에만 보호층을 형성하고, 이를 통해서만 가스가 침투하도록 하는 구성에 비해서 보다 신속하게 가스 침투율을 측정할 수 있다. 또한, 본 발명은 외부에서 인가되는 힘에 의해서 휘어질 수 있는 재질의 기판 위에 가스 침투율 측정 장치를 형성함으로써, 가스 침투율 측정 장치에 힘을 가하여 가스 침투율 측정 장치가 휘어진 상태에서도 가스 침투율 측정이 가능하여, 보호층이 유연 소자에 적용되는 경우에 나타나는 가스 침투율 특성을 정확하게 측정할 수 있다.
|
특허명 | 출원일 | ||
---|---|---|---|
말뚝 내 하중 측정 장치 | 2016년 12월 30일 | ||
광안정성 확보를 위한 비정질 산화물 박막 트랜지스터 | 2016년 4월 29일 | ||
마이크로 발광소자 및 그 제조 방법 | 2017년 5월 8일 | ||
물리적 전사 방법에 의한 탄소나노튜브 기반의 유연 센서 소자 제조 방법 | 2011년 6월 10일 | ||
투명 금속산화막/금속/투명 금속산화막 보호층을 구비한 비정질 산화물 박막 트랜지스터 | 2016년 4월 29일 |