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트렌치를 이용한 수직 전극 구조, 및 그 제조 방법
| 특허명 | 트렌치를 이용한 수직 전극 구조, 및 그 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 10월 25일 |
| 공개일 | 2012년 5월 3일 | 공고일 | 2012년 5월 18일 |
| 요약 |
트렌치를 이용한 수직 전극 구조, 및 그 제조 방법이 개시된다. 트렌치를 이용한 수직 전극 구조 형성 방법은 반도체 기판의 미리 설정된 영역에 트렌치를 형성하는 단계, 및 트렌치의 내부, 및 외부의 미리 설정된 영역에 각각 전극층을 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같이, 트렌치를 이용하여 전극 구조의 수직화를 이룩함으로써, 빠른 공정 시간과 저렴한 공정 비용으로도 수백 nm 이하 크기의 전극 구조를 형성할 수 있게 된다.
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