특허명 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | ||
출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2011년 12월 13일 |
공개일 | None | 공고일 | 2013년 5월 9일 |
요약 |
본 발명은 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광소자의 광 추출 효율 향상과 질화물 에피층 성장 시 발생하는 관통 전위 결함의 밀도를 줄일 수 있도록 패터닝된 사파이어 기판으로 제조된 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광소자는 광 추출 효율이 우수하고 을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라, 기존의 패턴 사파이어 기판에서 좋은 품위의 질화물을 얻을 수 있도록 만드는 돌출부 측면에서 발생하는 ELOG와 함몰부 측면에서 발생하는 Pendeo가 더해져 관통 전위 밀도를 보다 효율적으로 낮출 수 있다.
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특허명 | 출원일 | ||
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