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반도체 소자 및 이의 제조 방법
| 특허명 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 | ||
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2019년 7월 8일 |
| 공개일 | 2021년 1월 18일 | 공고일 | 2021년 4월 8일 |
| 요약 |
본 발명은 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 소자는 기본 소자, 상기 기본 소자의 적어도 일 방향에 형성되는 중간층 및 상기 기본 소자에 대향하는 방향에서 상기 중간층에 형성되는 금속층을 포함할 수 있으며, 중간층 내부에는 중간층에 대한 전압의 인가에 따라서 전도성 필라멘트가 생성될 수 있다.
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관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 반도체 소자 및 트랜지스터 | 2019년 12월 31일 | ||
| 전하-플라즈마 효과가 적용된 반도체 소자 및 이의 제조 방법 | 2019년 8월 5일 | ||
| 마이크로 발광소자 및 그 제조 방법 | 2017년 5월 8일 | ||
| 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 포함하는 반도체 장치 및 이의 제조 방법 | 2015년 7월 23일 | ||
| 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | 2011년 11월 8일 | ||
