기술 검색
질화물 반도체 발광소자
| 특허명 | 질화물 반도체 발광소자 | ||
| 출원인 | 엘지디스플레이 주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2010년 2월 23일 |
| 공개일 | 2011년 8월 31일 | 공고일 | 2016년 6월 15일 |
| 요약 |
본 발명은, 휘도특성의 감소, 광추출효율의 감소, 소비전력의 증가, 순방향전압의 증가 및 과도한 발열을 방지할 수 있는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 기판 상에 형성되는 제1 질화물 반도체층; 상기 제1 질화물 반도체층의 제1 영역 상에 다중양자우물구조로 형성되는 활성층; 상기 활성층 상에 형성되는 제2 질화물 반도체층; 상기 제2 질화물 반도체층 상에 형성되는 오믹접촉층; 상기 오믹접촉층 상에, 광이 방출되는 발광면의 제1 꼭지점과 대응하여 형성되는 제1 전극패드; 상기 제1 영역을 제외한 상기 제1 질화물 반도체층의 제2 영역 상에, 상기 제1 꼭지점에 대각선 방향으로 대향하는 상기 발광면의 제2 꼭지점과 대응하여 형성되는 제2 전극패드; 상기 오믹접촉층 상에, 135도 이상의 각도로 절곡되는 적어도 하나의 절곡부를 각각 포함하는 형태로, 상기 제1 전극패드로부터 상기 발광면 측으로 연장되어 형성되는 복수의 제1 전극; 및 상기 제1 질화물 반도체층의 제2 영역 상에, 135도 이상의 각도로 절곡되는 적어도 하나의 절곡부를 각각 포함하는 형태로, 상기 발광면 상에서 상기 복수의 제1 전극과 교번하도록, 상기 제2 전극패드로부터 상기 발광면 측으로 연장되어 형성되는 복수의 제2 전극을 포함한다.
|
||
관련 특허
| 특허명 | 출원일 | ||
|---|---|---|---|
| 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | 2008년 12월 17일 | ||
| 발광 소자 및 그 제조 방법 | 2012년 3월 21일 | ||
| 발광 소자 및 그 제조 방법 | 2012년 3월 12일 | ||
| 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자 | 2010년 6월 24일 | ||
| 금속/그래핀 투명전극을 포함하는 발광소자 및 이의 제조방법 | 2011년 1월 4일 | ||
