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공진기 및 그 제조 방법
| 특허명 | 공진기 및 그 제조 방법 | ||
| 출원인 | 삼성전자주식회사|고려대학교 산학협력단 | 출원일 | 2008년 4월 28일 |
| 공개일 | 2009년 11월 2일 | 공고일 | 2014년 6월 18일 |
| 요약 |
공진기 제조 방법이 개시된다. 본 방법에 따르면, 나노 임프린트 기술을 이용하여, 기판 상에서 서로 이격된 복수 개의 전극 패턴을 마련하는 단계 및 복수 개의 전극 패턴들에 연결된 연장 전극 패턴을 형성하고, 연장 전극 패턴들 사이에 걸쳐지는 나노 구조물을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 나노 레벨의 공진 구조물을 가지는 NEMS 공진기를 용이하게 제조할 수 있다. 나노 임프린트, 나노 구조물, 공진기
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| 특허명 | 출원일 | ||
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